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“喻园•育芯”讲坛第23期开讲—“High quality graphene and cubic silicon carbide forclean energy application”学术讲座顺利举办

来源: 威廉希尔足球 时间:2023-07-06 点击量:

2023年7月4日上午10:00,应公司王春栋副教授邀请,瑞典林雪平大学孙建武副教授为公司师生带来题为《High quality graphene and cubic silicon carbide forclean energy application》的学术报告。王春栋副教授、陈晓飞副教授、曾双双教授等学院老师参加了此次交流会。

孙建武副教授首先简单介绍了利用太阳能通过光电化学,将二氧化碳(CO2)和水转化为化学燃料这样一种解决温室气体排放、缓解气候变化很有前途的方法。特别是立方碳化硅(3C-SiC),由于其相对较小的带隙和理想的导导和价带位置,显示出将太阳能转化为可再生化学燃料的巨大前景。随后,围绕单晶立方碳化硅(3C-SiC)的生长以及石墨烯在立方碳化硅(3C-SiC)上的生长展开了详细的介绍。最后通过实验以及表征,阐述了3C-SiC用于太阳能水分解和石墨烯/3C-SiC用于太阳能CO2转换的实际应用,还简单介绍了其研究组目前关于碳化硅的研究进展。在提问环节,孙建武副教授与在场老师和同学们就讲座相关内容进行了深入的交流和探讨。

通过本次报告,同学们对立方碳化硅(3C-SiC)的生长技术有了更加深入的了解,孙建武副教授提出的石墨烯/3C-SiC异质结构是一种有前途的、能将太阳能转化为可再生燃料的催化材料,这对同学们的研究具有重要指导意义。

报告人介绍:

孙建武,瑞典林雪平大学副教授,碳化硅材料部门负责人。曾任半导体材料系系主任。主要从事宽禁带半导体碳化硅材料生长、物性及其器件研究。获得瑞典国家基金委未来领军人才资助,主持10余项瑞典国家基金资助项目。加入林雪平大学之前,孙建武在集成电路芯片领域世界领先的比利时微电子研究中心IMEC,任高级研究员 (永久位置) 。主要从事鳍式场效应晶体管(FinFET)CMOS集成电路芯片研发。作为第一发明人,获得在低于7纳米节点制程的处理器芯片研发专利一项,该专利获得欧盟专利局(EP3018715A1) 和美国专利局授权(US9640411B2)。

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